NEMS

[hamedof 5,183]

در واقع هدف من هم اینه که با اشتراک گذاشتن این متن ها بتونم به قسمت هایی که تا به حال بهشون توجه نکردم پی ببرم ! پس هرچقدر خواستید بپرسید ، من هم از خدمت اساتید فیزیک حالت جامد در میام

در مورد سوال اولتون !
very-large-scale integration که به اختصار VLSI نامیده میشه به نقل از ویکی:
[quote]
یکپارچه‌سازی کلان‌مقیاس یا وی‌اِل‌اِس‌آی شاخه‌ای از دانش است که به بررسی یکپارچه‌سازی (مجتمع‌سازی) مدارهای خیلی پیچیده در یک مجموعه تراشه (Chip set) می‌پردازد.

این شاخه از دانش به دو بخش کلی طراحی و پیاده‌سازی تقسیم شده است که در شاخه پیاده‌سازی مباحث عملی مربوط به پیاده‌سازی مدارات یکپارچه در مقیاس بزرگ عنوان می‌شود. در شاخه طراحی مباحث مربوط به طراحی با توجه به روش‌های پیاده‌سازی عنوان می‌شوند.

از آنجایی که در صنعت نیمه رساناها برای به وجود آوردن قطعات الکترونیکی از تزریق ناخالصی استفاده می‌شود، در VLSI نیز قطعات الکترونیکی را با تزریق کردن ناخالصی بر روی یک Wafer به وجود می‌آورند. به این طریق که نخست روی سطح Wafer را توسط یک ماده فتولیتوگراف می پوشانند. سپس روی یک برگه شفاف نقشه‌ای از جایی که قرار است ترانزیستور‌ها توسط تزریق ناخالصی به وجود آیند را طراحی می‌کنند به گونه‌ای که هیچ نوری از آن جا عبور نکند. سپس از بالای برگه توسط لامپ، نور فرابنفش را به یک ذره بین می تابانند و ذره بین نیز این نور را روی سطح Wafer متمرکز می‌کند. به این ترتیب نقشه کلی ترانزیستورها در مقیاس‌های بسیار کوچک روی Wafer می افتد. جایی که نور به آنجا رسیده است، به سبب فعل و انفعالات ماده لیتو گراف، سفت می‌شود و بقیه جاها این ماده به آسانی توسط شستشو پاک می‌شود. سپس Wafer را درون کوره‌هایی با دمای بالا قرار داده و برای مدت‌های طولانی ویفر در مجاورت گازهای آلومنیوم یا فسفر قرار می‌گیرد، در نتیجه در نقاطی که ترانزیستور باید قرار بگیرد، توسط نفوذ ناخالصی ترانزیستور ساخته می‌شود. سپس توسط همین روش مدار سیم کشی شده و کارهای نهایی روی آن صورت می‌گیرد و پس از قرار دادن یک پوشش نهایی بر روی مدار به مشتری تحویل داده می‌شود.[/quote]

اما در مورد AFM بگزارید یکبار دیگه به صورت دقیق متن رو بررسی کنیم جواب شما داخل متن داده شده ! من هم این مشکل رو داشتم ولی چون این قسمت نقل قول مستقیم از ویکی بوده پس احتمال ترجمه اشتباه من نیست ، دقت کنید:

[quote]
با خم شدن کانتی‌لیور، انعکاس نور لیزر بر روی آشکارسازنوری جابجا می‌شود. بدین ترتیب می‌توان [b]جابجایی نوک کانتی‌لیور[/b] (به احتمال زیاد منظور جابه جایی افقی است ) را اندازه‌گیری کرد. از آنجایی که کانتی‌لیور در جابجایی‌های کوچک از قانون هوک پیروی می‌کند، [b]از روی جابجایی کانتی‌لیور[/b] می‌توان [b]نیروی برهم‌کنش[/b] [b]بین نوک و سطح نمونه[/b] را بدست آورد. و از روی نیروی بین اتم‌های سطح نمونه و پراب، می‌توان [b]فاصله بین نوک و سطح نمونه[/b]، یا همان ارتفاع آن قسمت از نمونه را بدست آورد.
حرکت پراب بر روی نمونه توسط دستگاه موقعیت‌یاب بسیار دقیقی انجام می‌شود که از سرامیک‌های پیزوالکتریک ساخته می‌شود.[/quote]

هم حرکت افقی سنجیده میشه و هم ارتفاع تا بتوان دستگاه مختصات X و Y سطح رو به دست آورد

با توجه به اینکه با استفاده از دیوایس های NEMS این اهرم رو میسازند و این دیوایس ها در محدوده نانو قرار دارند پس تا ابعاد 10 به توان منفی 10 متر را می توان اندازه گیری کرد ...

در مورد پلیمر ها هم بگزارید 2 روز دیگه که رسیدم دانشگاه از اساتید سوال کنم ! من که فیزیک حالت جامد نمی خونم

[mohammaddanger 1,044]

لازم شد دوباره یک تشکری بکنیم ؛ بعضی از قسمت هاش رو تازه میفهمم : |